噴塗如何有助於基於Salcon的高性能晶體管的採用

基於電子遷移率（HEMT）的高晶體管的氮化氮化物（GAN）是野外晶體管（FET）的類型，旨在以低噪聲的非常高的頻率工作。因此，它們被廣泛用於功能強大且高頻應用中，例如高速無線通信，電源設備和電源放大器。

Hirs使用異性轉變，這是兩種不同的半導體材料之間的化合物，通常是GAN和鋁gan（Algan）。該連接創建了一個稱為兩個維電子氣體（2DEG）的狹窄區域，其中電子具有很高的遷移率，從而導致出色的高頻性能。

醜聞鋁鋁（Salcer）作為一種新的屏障材料吸引了相當大的關注，可以增加gan hemts的性能。它表明了一個較大的極化，它增加了2維高的電子密度。此外，其Segneelectric性質使其適合用作Segnetoelectric顯示的Segotoelectric快門。

這樣的百葉窗允許對2DEG的動態控制，從而為基於GAN的設備多樣化提供了潛力。將Scarn層增加到GAN的常規方法需要復雜的方法和高處理溫度。

相反，噴塗是一種有希望的替代方案，提供了最小的調整，並具有低溫處理的可能性。然而，基於gAN上的Scalen生長的噴塗的研究仍然有限，並且生長溫度對其電氣和結構特性的影響尚不清楚。

在一項新的研究中，由Assushi Kobayashi在日本Tokysk Sciences（TUS）的材料科學技術副教授（Salcon）對Algan/GAN異質結構的薄膜成功增加，使用了擴散並研究了生長溫度對其特性的影響。他們的研究發表在《雜誌》上 APL材料場地

Kobayashi博士解釋說：“與昂貴且複雜的降水方法相比，在電子產品生產中廣泛使用的噴塗可以使Scaln薄膜的大規模生產成本要低得多，這使得高性能設備更實惠。”

該團隊還包括M -Shunsuke OTA，TUS 2024畢業生。

研究人員通過在各種溫度下噴灑在Algan/Aln/GAN異質結構上的Scaln Film含量為10％。然後，他們使用顯微鏡（ASM）的原子力和高能衍射研究了膜的結構。

他們的分析表明，即使在250°C的低溫下也可以實現外延生長，並且表面平面的平坦度隨溫度升高而提高。值得注意的是，對於在750°C下生長的樣品，觀察到了表面的清晰結構，該樣品的結構質量很高。

大廳效果的測量表明，在750°C下生長的樣品的介質密度達到1.1×10¹³厘米^-2沒有頭皮的Algana/Aln/Gan異質結構的三倍。相反，在較低溫度下生長的膜顯示出比最初的非居民異質結構密度較低。

這些結果表明，生長溫度對於異質結構中的2DEG形成至關重要。通過提高的結構質量來解釋了在750°C下提高載體的密度。然而，與初始異質結構相比，所有SCALN樣品中電子的遷移率都降低了，這可能是由於Algan/Aln/GAN界面附近的Scaln屏障中引入的粗糙度和結構性障礙。

Kobayashi博士說：“這項研究的結果強調了Salcn膜在Salcn中的生長條件的關鍵作用。”

“重要的是要注意，我們的研究表明，甘恩（Gan）上越來越高質量的Scaln質量層的噴塗能力，這為Salcon屏障的高性能Gan Hemts的商業化提供了實用的途徑。

“這將導致這些晶體管的廣泛使用，這些晶體管對於開發高效，能源的設備至關重要，這些設備可以在惡劣的條件下（包括電動汽車和太空車輛）運行，這將導致穩定的未來發展。”