研究人員將碳污染確定為高盧氧化物的電子設備的關鍵障礙

康奈爾大學的研究人員發現了幾乎看不見的罪魁禍首，可防止下一代強大的電子設備的發展：碳污染的微觀層，通常由空氣和製造方法留下，違反了由氧化甲殼蟲製成的設備中的電流。他們還找到了解決方案。

一個 學習 6月20日在《雜誌》上發布 APL材料 它是最早可視化這種薄納米屏障的人之一，當金屬獲得專利為半導體時，這可能會發生，這是用於從電子設備中獲得電流的重要界面。當這些接觸具有阻力時，設備的生產力會受到影響。

該任務在具有超寬區域的半導體材料的β-氧化β-氧化物中特別明顯，該材料曾經允許電動汽車和網格基礎設施等設備，更有效地處理更高的電壓。

材料科學與工程領域的博士課程娜奧米·皮胡洛夫斯基（Naomi Pijulevsky）說：“這是高盧氧化物高盧領域的一個問題。” “有時您會獲得良好的電導率，有時您根本沒有得到，沒有人能確切確定原因。”

PIECZULEWSKI研究涵蓋了幾個實驗室康奈爾實驗室，獨特地研究了該問題，其中一種專門研究氧化物材料的生產，一項專門研究原子分辨率顯微鏡。

PICEZULEWSKI及其同事專注於氧化甲β-氧化物和鈦的接觸之間的相互作用，使用了掃描傳輸電子顯微鏡和其他方法來比較兩種進行接觸的一般方法：傳統的分離過程和金屬將金屬沉積到半徑的金屬過程。

在移位樣品中，研究人員觀察到金屬之間的碳和斑點層薄薄的碳和從處理過程中使用的光孔材料留下的半導體。為了應對污染，紫外線紫外線紫外線紫外線紫外線紫外線紫外線紫外線的紫外線紫外線有效地消除了碳層的一個小時效應，這使得抗性只能接觸0.05個單數儀器，即從beta -gallia oxide的非計劃接觸中的最低信息中的0.05個碳層。

金屬首先是由五分鐘的主動氧處理固定的，是由生產方法中的空氣暴露引起的碳污染，從而大大降低了接觸電阻並改善電流的流動。

Pikzulevsky說：“這項研究使您可以為土匪創建可靠，一致的超級設備。” “這是逐步的進步，但我認為從行動朝著商業化的角度來看，這很重要。”

該研究的另一位作者是哲學博士Katlin Smith。 24年。相應的作者包括電氣和計算機工程，工程和設備教授Guel Grace Sin，William L. Kacenbush；以及Applied and Engineering Physics學校工程教授Samuel B. Ecert的DavidMüller。

這項研究是第一個在一項研究文件中團結的研究，即Afrl-Cornell外延解決方案的所有七位相關研究人員，也稱為Access，與Sin和Müller一起，包括Yen的Debdip，工程學教授David E. Burra；邁克爾·湯普森（Michael Thompson），工程領域的德懷特·S·鮑姆（Dwight S. Baum）教授； Darrell學校，Tisha大學教授； Farhana Ran，工程教授Joseph P. Ripley；材料科學技術系副教授Hari Nar。

州立大學和Micron Boyce通過半導體研究公司（SRC）為這項研究做出了貢獻。