一個僅在90°C下造成的柔性批發設備，具有最小的缺陷

韓國材料科學研究所能源與環境材料研究部Jung-da-kvon博士的研究小組成功地開發了矽的無定形光電結構，即使在90°C下使用低溫過程， 出版 在雜誌中 高級科學場地

值得注意的是，團隊克服了對高溫處理的限制，準確控制了氫與力的氫稀釋度的比率（SIH₄）高性能柔性光電設備的製造（傳感器可以找到光並將其轉換為電信號）的氣體產生。

柔性光電設備是下一代電子設備的關鍵組件，例如可穿戴電子設備和圖像傳感器，並且需要在薄薄膜上精確沉積薄膜。然而，主要限制是需要高於250°C以上的高溫度處理，這使使用這些設備的使用使對熱量敏感。

為了克服這一限制，研究小組在化學蒸氣沉積過程（PECVD）中使用大量的血漿使用大量流量控制器對氫育種係數進行了準確的控制，而血漿通常用於製造薄纖維設備。即使在低溫下，這種方法也可以具有均勻的優質質量。

另外，使用氫鈍化，它們通過最小化薄性缺陷提高了材料的電特性。結果，與傳統方法相比，當處理溫度降低超過60％時，他們設法製作了一種柔性光電設備，該設備保持了性能。熱預算的大幅減少也有助於降低總生產成本。

該技術使用光彈丸（PR）作為犧牲層，以確保光電設備中的活性區域的清潔形成。光線師即使在對熱柔性底物敏感的情況下也提供穩定的薄 – 性沉積，並且可以使用簡單的過程輕鬆去除，從而優化並提高整個製造過程的效率。這項研究結果的關鍵優勢之一是能夠可靠地生產高質量的光電設備而無需複雜的等離子體蝕刻過程。

使用這項技術，研究小組獲得了高光敏性 – 大約96％的傳統高溫加工設備。

此外，在進行了2700多次彎曲半徑為5 mm之後，該設備表現出出色的機械耐用性和穩定性而不會降低性能。結果，正如預期的那樣，該技術將廣泛適用於製造可穿戴和柔性電子設備。

Kims的首席研究員Jung-de Kwon博士說：“這項技術證明了生產高質量薄膜和高性能光電設備而沒有高溫處理的潛力，僅通過準確監測氫稀釋度的比率。

“我們希望這種促銷在各種應用中，包括可穿戴電子，圖像和光學傳感器，包括經濟有效且高性能的柔性光電設備。”