比較ta3不是5 從不同的前身收到的照片。 a)合成過程的示意圖3不是5(o)和ta3不是5(n)n+-si(111)塑料使用噴塗的人x2不是3 電影 – 分別是前者。是)SAM圖像具有100 nm的上視圖3不是5(n)140 nm,那3不是5(o),235 nm ta3不是5(O)和500 nm TA3不是5(o)。 fi)SAM橫向圖像對應於BE)。信用: 小的 (2025)。 doi:10.1002/smll.202505487

台灣大學化學學院的研究人員開發了一種新的超薄照片的合成途徑,該途徑允許坦塔爾坦塔爾塔塔爾層層超過通過氧化物普通前代製造的更厚的薄膜。

在尋找穩定的能量解決方案時,水的光化化學分裂為將陽光轉化為氫燃料提供了有希望的途徑。在為此目的研究的半導體材料中,3不是5)從理想的帶中脫穎而出,並具有強烈的光吸收光。

然而,從電荷的運輸特性不佳,通常需要厚實的膠片和大量的坦塔魯斯 – 昂貴且稀缺的金屬。

在研究中 出版 v 小的台灣國立大學的研究人員報告了一項新的戰略,用於建立一種有效的策略3不是5 使用化學設計層的前身TA Bixbyite型的照片2不是3場地

與傳統的合成路線不同,這種方法使您可以形成一種超薄,非常有效的方法3不是5 在矽底物上的膜,大大減少了觸覺的使用。最終的照片顯示了改善的電荷分離和改善的照相形成,僅在較厚的膜上才能達到以前可訪問的生產率水平。

“面孔2不是3 它是一種亞穩態的材料,這意味著它很容易變成TA3不是5該研究的主要研究人員Chang-Min Jiang說:“半導體的氮化物廣泛用於能量系統。”

“使用TA2不是3 作為一個前身,還產生與硅截面邊界上亞硝酸鹽雜質的痕跡。這些相對於從中提取上鏡載體非常有效,並且有用3不是5。 “

這項研究通過結構,光學和電化學特徵的結合,證明了界面之間界面的工程如何3不是5 矽可以克服運輸運輸的長期限制。

這種促銷為可擴展的氫生產提供了新的方向,其材料成本較低和提高效率。

這項工作不僅加深了對氮化半導體界面的理解,而且還為開發下一代光電子的開發提供了廣泛適用的策略。

更多信息:
CHIA -WEI CHAMP等,有效的TA3N5通過接口工程bixbyite -type前體照片, 小的 (2025)。 doi:10.1002/smll.202505487

期刊信息:
小的


由台灣大學提供


引用:通過更少使用材料來轉換光控制的能量(2025年8月4日),從而做出更多。 2025年8月4日從https://techxplore.com/news/2025-08-material-uscived-vinged-energy-conversion.html收到

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