NVIDIA溝渠首先是Socamm記憶，並像三星，SK Hynix和Micron一樣恢復種族
- 重複失敗後，NVIDIA解散了SOCAMM 1以滿足期望
- SOCAMM 2承諾更快的運輸速度達到9,600噸/s的性能
- LPDDR6採用討論重要的重要SOCAMM單位2個單元
報導稱，NVIDIA放棄了以前的技術問題，在反复的技術問題之後將其商業化，現在完全專注於SOCAMM 2。
第一個版本是作為低功率內存的替代方案，AI服務器的高容量，但是延遲和設計故障阻止了它吸引。
現在，該行業的機密說 消息 （最初在韓國人），“ Nvidia最初計劃在一年中引入SOCAMM 1，但技術問題兩次停止了該項目，從而阻止了任何真正的範圍真實的命令。”
效率和設計目標的轉變
這個重置意味著這個 三星電子，SK hynix和Micron從與第二代設計相同的基礎開始。
SOCAMM 2維護具有694 I/O端口的單元可移動工廠，但與前8,533噸/s相比，運輸速度提高到9,600噸/s。
實際上，這轉化為一個系統帶寬，在Blackwell Ultra Ultra GB300 NVL72中從約14.3tb/s上升到約16TB/s，這是一個已經鏈接到數據中心環境中最佳GPU討論的平台。
Nvidia對LPDDR5X的依賴性目前仍在繼續，儘管關於LPDDR6採用的討論表明該形式的設計具有長期可擴展性。
儘管進行了這些升級，但該模塊的功率仍然比基於DRAM的標準RDIMM更少，這一主張需要根據服務器的實際工作量進行驗證。
第一代SOCAMM單元僅由Micron製造，從而產生了一個單一的依賴點，從而提出了有關委員會穩定性的問題。
SOCAMM 2擴展了供應商基礎，三星和SK hynix樣品在微米旁邊準備樣品。
這種更廣泛的參與可能會使生產更加穩定和更具競爭力，儘管它仍然不確定批量生產的開始速度。
三星和SK Hynix表示，它正在“準備在第三季度進行大規模生產SOCAMM”。
但是，行業估計表明，到明年年初，SOCAMM 2將無法提供數量。
兩代人之間最明顯的差異之一在於標準化。
SOCAMM 1是在JEDEC以外開發的，該雜誌將其採用限制在NVIDIA平台上。
但是，SOCAMM 2可以吸引JEDC的參與，從而促進其他公司在其係統中採用類似的模塊。
如果發生這種情況，SOCAMM 2可以演變為一種新的工業形式，從而在NVIDIA生態系統之外提供緊湊的高範圍內存選項。
對於創意專業人士而言，這些發展最終可能會影響視頻處理的最佳GPU，尤其是當記憶力直接影響高分辨率材料的處理時。
但是，分析師仍保持謹慎，並指出，儘管這條道路提供了一個希望，但由於LPDDR6的發展加速，其到達的時間表可以稀釋其長期影響。
隨著AI半導體的計算性能提高，對記憶充血的需求正在增加。
SOCAMM 2是解決這個問題的解決方案，還是在整個領域中的另一個選擇，都取決於LPDR6開發的執行，標準化和速度。
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